特許

J-GLOBAL ID：201203098189304626

固体撮像装置及びその製造方法

発明者： 上田 哲也 ,  松長 誠之
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (18件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也 ,  河部 大輔 ,  長谷川 雅典 ,  岩下 嗣也 ,  福本 康二 ,  前田 亮 ,  間脇 八蔵 ,  松永 裕吉 ,  川北 憲司 ,  岡澤 祥平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-102079
公開番号（公開出願番号）：特開2012-234949
出願日： 2011年04月28日
公開日（公表日）： 2012年11月29日
要約：

【課題】微細化と共に感度を向上でき、クロストーク及び暗電流の増大を防ぐことが可能な固体撮像装置を信頼性が高い製造方法により得られるようにする。【解決手段】半導体基板1と、半導体基板1の上部に形成されたトランジスタ4と、半導体基板1の上に形成され、トランジスタ4と電気的に接続する配線10を含む配線層と、配線層の上に、配線10と電気的に接続するように形成され、行列状に配置された複数の下部電極11、該複数の下部電極11の上に形成された光電変換膜12及び該光電変換膜12の上に形成された上部電極13を含む光電変換部14とを備えている。光電変換膜12は、単層膜又は積層膜であり、酸化銅(I)を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板の上部に形成されたトランジスタと、 前記半導体基板の上に形成され、前記トランジスタと電気的に接続する配線を含む配線層と、 前記配線層の上に、前記配線と電気的に接続するように形成され、行列状に配置された複数の下部電極、該複数の下部電極の上に形成された光電変換膜及び該光電変換膜の上に形成された上部電極を含む光電変換部とを備え、 前記光電変換膜は、単層膜又は積層膜であり、酸化銅(I)を含むことを特徴とする固体撮像装置。

IPC (5件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/359 ,  H04N 5/361 ,  H04N 5/374

FI (5件)：

H01L27/14 E ,  H01L31/10 A ,  H04N5/335 590 ,  H04N5/335 610 ,  H04N5/335 740

Fターム (40件)：

4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118BA14 ,  4M118CA14 ,  4M118CA32 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  4M118CB20 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024AX01 ,  5C024CX13 ,  5C024CX32 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GX07 ,  5C024GX16 ,  5C024GY31 ,  5C024HX40 ,  5F049MA02 ,  5F049MA05 ,  5F049MB01 ,  5F049NA01 ,  5F049NA05 ,  5F049NA20 ,  5F049NB05 ,  5F049PA07 ,  5F049PA14 ,  5F049QA03 ,  5F049RA02 ,  5F049SE04 ,  5F049SE05 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ12