特許

J-GLOBAL ID：201203098650918763

半導体装置の製造方法及び基板処理装置

発明者： 坪田 康寿
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-262375
公開番号（公開出願番号）：特開2012-114267
出願日： 2010年11月25日
公開日（公表日）： 2012年06月14日
要約：

【課題】プラズマ処理を促進させる方向を制御する。【解決手段】インピーダンス調整部のインピーダンスを制御することで、基板の処理面に加わる電界の少なくとも垂直成分の強度を調整しつつ、プラズマ生成部による電力を制御することで、基板の処理面に加わる電界の少なくとも水平成分の強度を調整して、プラズマ処理を促進させる方向の電界を強くする。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板を処理室内に搬入して基板支持部により支持する工程と、 前記基板支持部により前記基板を加熱する工程と、 排気部により前記処理室内を排気しつつ、反応ガス供給部により前記処理室内に反応ガスを供給する工程と、 プラズマ生成部により前記処理室内に形成した電界で、プラズマ放電を起こして反応ガスを励起し、励起した反応ガスを前記基板に供給して前記基板をプラズマ処理する工程と、 プラズマ処理した前記基板を前記処理室内から搬出する工程と、を有し、 前記基板をプラズマ処理する工程では、 前記基板支持部の内部に設けられたインピーダンス調整電極に接続されるインピーダンス調整部のインピーダンスを制御することで、前記基板の処理面に加わる前記電界の少なくとも垂直成分の強度を調整しつつ、前記プラズマ生成部による電力を制御することで、前記基板の前記処理面に加わる前記電界の少なくとも水平成分の強度を調整して、前記プラズマ処理を促進させる方向の前記電界を強くする ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/316 ,  C23C 16/505

FI (9件)：

H01L21/31 C ,  H01L21/22 E ,  H01L21/265 F ,  H01L21/302 101D ,  H01L21/302 101C ,  H01L21/318 B ,  H01L21/316 X ,  H01L21/318 A ,  C23C16/505

Fターム (42件)：

4K030CA04 ,  4K030CA11 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB07 ,  5F004BB13 ,  5F004BD04 ,  5F004CA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC01 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045EH11 ,  5F045EH16 ,  5F045EH17 ,  5F045EH20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF07 ,  5F058BF09 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74