特許

J-GLOBAL ID：201203098813689961

半導体素子の耐圧測定装置および耐圧測定方法

発明者： 楠本 修 ,  内田 正雄 ,  池上 亮
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (1件)： 奥田 誠司
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2009002088
公開番号（公開出願番号）：WO2010-021070
出願日： 2009年05月13日
公開日（公表日）： 2010年02月25日
要約：

本発明の耐圧測定方法は、ウェハ表面に形成された複数の半導体素子の耐圧を測定する耐圧測定方法であって、ステージに前記ウェハを固定する工程(A)と、前記ウェハ表面の一部のみであって、少なくとも前記複数の半導体素子から選ばれる1つの半導体素子に設けられた耐圧を測定する大気に露出した1つ以上の電極を絶縁液で覆い、かつ、前記1つ以上の電極にプローブを接触させる工程(B)と、前記1つ以上の電極および前記ステージ表面から選ばれる2つの間の耐圧を測定する工程(C)とを包含する。

請求項（抜粋）：

ウェハ表面に形成された複数の半導体素子の耐圧を測定する耐圧測定方法であって、 ステージに前記ウェハを固定する工程(A)と、 前記ウェハ表面の一部のみであって、少なくとも前記複数の半導体素子から選ばれる1つの半導体素子に設けられた、耐圧を測定する1つ以上の大気に露出した電極を絶縁液で覆い、かつ、前記1つ以上の電極にプローブを接触させる工程(B)と、 前記1つ以上の電極および前記ステージ表面から選ばれる2つの間の耐圧を測定する工程(C)と、を包含する耐圧測定方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/26

FI (2件)：

H01L21/66 L ,  G01R31/26 B

Fターム (14件)：

2G003AA02 ,  2G003AA10 ,  2G003AC08 ,  2G003AD08 ,  2G003AE09 ,  2G003AG03 ,  2G003AH04 ,  2G003AH05 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106AB01 ,  4M106BA01 ,  4M106CA14 ,  4M106DD22