特許
J-GLOBAL ID:201203098907071589

置換メッキ前駆体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 畠山 文夫 ,  小林 かおる
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-032554
公開番号(公開出願番号):特開2012-172162
出願日: 2011年02月17日
公開日(公表日): 2012年09月10日
要約:
【課題】外部電源を用いることなく、Pt粒子又はPt合金粒子の表面にCu単原子層を形成することが可能な置換メッキ前駆体の製造方法を提供すること。【解決手段】Cuイオンを含む酸水溶液とCu電極の少なくとも一部分とを接触させ、Pt若しくはPt合金からなるコア粒子、又は、前記コア粒子が導電性担体に担持された複合体と前記Cu電極とを前記酸水溶液内又は前記酸水溶液外において接触させ、かつ、前記コア粒子と前記酸水溶液とを、不活性ガス雰囲気下において接触させることにより、前記コア粒子の表面にCu層を析出させる析出工程を備えた置換メッキ前駆体の製造方法。【選択図】図1
請求項(抜粋):
Cuイオンを含む酸水溶液とCu電極の少なくとも一部分とを接触させ、 Pt若しくはPt合金からなるコア粒子、又は、前記コア粒子が導電性担体に担持された複合体と前記Cu電極とを前記酸水溶液内又は前記酸水溶液外において接触させ、かつ、 前記コア粒子と前記酸水溶液とを、不活性ガス雰囲気下において接触させることにより、前記コア粒子の表面にCu層を析出させる析出工程 を備えた置換メッキ前駆体の製造方法。
IPC (1件):
C23C 18/54
FI (1件):
C23C18/54
Fターム (10件):
4K022AA02 ,  4K022AA35 ,  4K022BA08 ,  4K022DA04 ,  5H018AA02 ,  5H018BB07 ,  5H018EE02 ,  5H018EE03 ,  5H018EE04 ,  5H018HH01

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