特許
J-GLOBAL ID：201203099062904663
III族窒化物半導体発光素子を製造する方法、及びIII族窒化物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-046578
公開番号（公開出願番号）：特開2012-084836
出願日： 2011年03月03日
公開日（公表日）： 2012年04月26日
要約：
【課題】コンタクト層と電極との界面における酸化物の影響を低減可能なIII族窒化物半導体発光素子が提供される。【解決手段】処理装置10においてコンタクト層35を成長すると共に該コンタクト層35を酸化防止膜87で覆った第1の基板生産物E1を処理装置8のエッチャ8aに配置した後に、処理装置8において第1の基板生産物E1から酸化防止膜87を除去して、p型コンタクト層35の表面を露出させて第2の基板生産物E2を形成する。通路8cのシャッタ8dを開けて、処理装置8のエッチャ8aのチャンバから処理装置8の成膜炉8bのチャンバに第2の基板生産物E2を移動する。処理装置8の成膜炉8bのチャンバにおいて、p型コンタクト層35の露出された表面の上に、電極のための導電膜89を成長して、第3の基板生産物E3を形成する。第3の基板生産物E3を処理装置8の成膜炉8bから取り出した後に、導電膜89のパターン形成を行う。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
III族窒化物半導体発光素子を製造する方法であって、
III族窒化物半導体からなる半極性主面を有する基板を準備する工程と、
第1の装置を用いて、活性層及びp型コンタクト層を含む半導体積層を前記半極性主面の上に形成する工程と、
前記第1の装置を用いて前記半導体積層の表面を覆う酸化防止膜を堆積して、第1の基板生産物を形成する工程と、
前記第1の装置から第2の装置に前記第1の基板生産物を移動する工程と、
前記第2の装置において前記第1の基板生産物から前記酸化防止膜を除去して、前記p型コンタクト層の表面を露出させる工程と、
前記第2の装置において、前記p型コンタクト層の前記露出された表面の上に電極のための導電膜を形成する工程と、
を備え、
前記酸化防止膜はIII族窒化物とは異なる材料からなり、
前記p型コンタクト層は窒化ガリウム系半導体からなる、III族窒化物半導体発光素子を製造する方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S5/343 610
, H01L21/205
5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AB32
, 5F045AB33
, 5F045AB40
, 5F045BB16
, 5F045CA09
, 5F045CA10
, 5F045CA11
, 5F045CA12
, 5F045DA52
, 5F045HA24
, 5F045HA25
, 5F173AA01
, 5F173AF04
, 5F173AF78
, 5F173AH22
, 5F173AP05
, 5F173AP24
, 5F173AR87
, 5F173AR92
