炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：高橋省吾 , 稲葉忠彦 , 村上加奈子 , 中鶴一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-177712
公開番号（公開出願番号）：特開2012-038919
出願日： 2010年08月06日
公開日（公表日）： 2012年02月23日
要約：

【課題】窒化処理によって低下した閾値電圧を、向上させることができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ベース領域7およびソース領域8を含む炭化珪素ドリフト層6上に二酸化珪素を主成分とするゲート絶縁膜11が形成された炭化珪素基板2を窒化処理する窒化処理工程と、窒化処理工程後、炭化珪素基板2を、一酸化二窒素を含む雰囲気中で600°C以上1000°C以下の温度で熱処理する熱処理工程と、を備える。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

炭化珪素層上に二酸化珪素を主成分とするゲート絶縁膜が形成された基板を窒化処理する窒化処理工程と、前記窒化処理工程後、前記基板を、一酸化二窒素を含む雰囲気中で600°C以上1000°C以下の温度で熱処理する熱処理工程と、を備えた炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/336 , H01L 21/318

FI (6件)：

H01L29/78 652K , H01L29/78 652T , H01L29/78 658F , H01L29/78 653A , H01L29/78 301B , H01L21/318 C

Fターム (43件)：

5F058BA01 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BD15 , 5F058BF55 , 5F058BF56 , 5F058BF62 , 5F058BF64 , 5F058BH04 , 5F058BH05 , 5F058BJ01 , 5F140AA06 , 5F140AC23 , 5F140AC24 , 5F140BA02 , 5F140BB04 , 5F140BC06 , 5F140BD01 , 5F140BD07 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF03 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF10 , 5F140BF43 , 5F140BG28 , 5F140BG37 , 5F140BH30 , 5F140BH49 , 5F140BJ06 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CB08

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-049653 出願人：OKIセミコンダクタ株式会社
炭化珪素半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-340912 出願人：三菱電機株式会社

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