研課題
J-GLOBAL ID:201204009900811502  研究課題コード:7541 更新日:2013年10月07日

段差被覆性に優れたIr系薄膜形成技術の開発

実施期間:2008 - 継続中
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (1件):
研究概要:
1トランジスタ-1キャパシタ(1T-1C)型の不揮発性強誘電体メモリ(FeRAM)の高集積化のためには三次元立体強誘電体キャパシタの形成技術の確立が急務である。本申請課題では,1T-1C型FeRAMへの応用を目的として、段差被覆性に優れたIr系電極薄膜形成技術(有機金属化学気相堆積法)の開発に取り組む。
研究制度: シーズ発掘試験
研究所管省庁:
文部科学省
研究所管機関:
独立行政法人科学技術振興機構
上位研究課題 (1件):

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