研課題
J-GLOBAL ID:201204011457300979  研究課題コード:7015 更新日:2013年10月07日

シリコン基板上の化合物半導体コーディネート成長技術の開発

実施期間:2009 - 継続中
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (1件):
研究概要:
シリコン上の決められた位置に目的とする化合物半導体をプロセスが調和した形で形成する技術(以後、コーディネート成長技術)の開発を目指している。本課題では、InP系化合物半導体を取り上げ、良質な単結晶をシリコン基板上に位置、結晶形状を定めて成長することを目的とする。シリコン上InPコーディネート成長に必要な選択成長領域の諸パラメータおよび選択成長条件を実験的に明らかにし、デバイスレベルのナノ結晶成長技術を開発する。
研究制度: シーズ発掘試験
研究所管省庁:
文部科学省
研究所管機関:
独立行政法人科学技術振興機構
上位研究課題 (1件):

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