研課題
J-GLOBAL ID:201204016008883295  研究課題コード:7505 更新日:2013年10月07日

高密度AHA 処理によるプラスチック基板上の結晶性Si 層の形成技術の開発

実施期間:2009 - 継続中
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (1件):
研究概要:
真空チャンバ内で水素ガスを加熱触媒体線上で解離させ、生成した原子状水素を基板表面に吹き付ける原子状水素アニール(AHA)法により、プラスチック基板上に低温で作製したSiO2膜表面を還元し、プラスチック基板上に結晶性Si層を形成する技術を開発する。本技術により軽量・低消費電力の情報端末であるフレキシブルディスプレイ(シートコンピュータ)の実現を目指し、誰もが安全かつ豊かな生活が送れる社会を構築する。
研究制度: シーズ発掘試験
研究所管省庁:
文部科学省
研究所管機関:
独立行政法人科学技術振興機構
上位研究課題 (1件):

前のページに戻る