研課題
J-GLOBAL ID:201204030629506943  研究課題コード:6280 更新日:2013年10月07日

高密度分散量子ドット埋め込み構造を用いた広帯域光源の開発

実施期間:2007 - 継続中
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (1件):
研究概要:
分散量子ドットを用いた広帯域光源を開発している。既に、分散量子ドットから十分な広帯域発光を得ており、又、光出力の増大を目的として、高密度InAsP分散量子ドットの形成に成功している。しかし、キャップ層成長のために昇温すると、InAsP量子ドットが肥大化し発光しなくなる。本研究では、高密度InAsP量子ドットを肥大化させずに埋込む方法として、二段階成長キャップ層を用いる。そのために、キャップ層材料や具体的なガスフロー・温度シーケンスを検討する。
研究制度: シーズ発掘試験
研究所管省庁:
文部科学省
研究所管機関:
独立行政法人科学技術振興機構
上位研究課題 (1件):

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