研課題
J-GLOBAL ID:201204039796565339  研究課題コード:7539 更新日:2013年10月07日

レーザ・プラズマ軟X線によるSi結晶化薄膜の作製と基礎評価に関する研究

実施期間:2008 - 継続中
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (1件):
研究概要:
本研究は、非晶質Si(a-Si)へのレーザ・プラズマ軟X線(LPX)照射による低温結晶化過程の中の核形成機構の解明に関する。具体的には集光させた高輝度LPXをa-Si薄膜に照射することにより200°C程度の低温でナノメートル寸法の微結晶粒(次段の粒成長における擬似結晶核となる)を形成し、連続して低輝度のLPX照射を行い既に形成されている微結晶粒を成長させ、新規結晶化法としても確立する。特にまだ明確になっていない擬似結晶核形成過程の物理を解明し、200°C以下で核形成/粒成長過程を制御することを目標とする。
研究制度: シーズ発掘試験
研究所管省庁:
文部科学省
研究所管機関:
独立行政法人科学技術振興機構
上位研究課題 (1件):

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