研課題
J-GLOBAL ID:201204051457034936  研究課題コード:10883 更新日:2013年10月07日

ホイスラー合金電極を用いたスピントロニクス素子の界面構造・組成

実施期間:2009 - 2012
実施機関 (3件):
実施研究者(所属機関) (3件):
研究概要:
本研究交流は、ハーフメタルスピントロニクス素子実現に必要な界面構造・組成を明らかにし、ホイスラー合金を用いたスピントロニクス素子を高性能化に寄与することを目的とする。具体的には、日本側のナノ構造制御による垂直通電型巨大磁気抵抗効果(CPP-GMR)素子開発技術と、ドイツ側のトンネル磁気抵抗(TMR)素子開発技術とを組み合わせる。さらに、両国のレーザー3次元アトムプローブ法および高分解能電子顕微鏡法(HRTEM)による解析技術を組み合わせ、これらの素子の伝導特性と界面の構造・組成の因果関係を解明する。両国の研究チームが本研究交流を通じて相互補完的に取り組むことで、省電力型素子の開発を実現し、ハーフメタル電極を用いた種々のスピントロニクス素子開発の指針を与えることが期待される。
研究制度: 戦略的国際科学技術協力推進事業
研究所管省庁:
文部科学省
研究所管機関:
独立行政法人科学技術振興機構
上位研究課題 (1件):

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