研課題
J-GLOBAL ID:201204078918041242  研究課題コード:10415 更新日:2013年10月07日

半導体パッケージ用高分子基板の光触媒結晶薄膜による表面改質

実施期間:2008 - 継続中
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (1件):
研究概要:
本技術は、環境調和型プロセスの一種であるフラックス法による光触媒結晶薄膜の作製、薄膜の高分子基板表面改質への応用と薄膜の大面積化の確立に関する。現在,半導体パッケージ分野で用いられるデスミア処理(強酸・強アルカリなどの溶液による金属配線前処理)を光触媒結晶薄膜による表面改質手法で置き換え、環境負荷の大幅削減を目指す。高出力光源使用時の結晶薄膜の表面改質特性の把握、ならびに、脱溶液プロセスを実現するため、現行と同程度の1処理能力2光洗浄3粗面化および4銅配線の密着性を達成することを目標とする。
研究制度: シーズ発掘試験
研究所管省庁:
文部科学省
研究所管機関:
独立行政法人科学技術振興機構
上位研究課題 (1件):

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