研課題
J-GLOBAL ID:201204083053180997  研究課題コード:4191 更新日:2013年10月07日

オゾンを用いたレジスト剥離に関する研究開発

実施期間:2001 - 2005
実施機関 (3件):
実施研究者(所属機関) (3件):
研究概要:
半導体の製造工程で、回路形成を行うためシリコン基板に感光性樹脂を塗り、微細パターンを露光し、不要部分の樹脂を溶剤で溶かしパターンを形成します。今回の方式は、オゾンガスで樹脂を溶解・除去するもので、高価で有害な溶剤を使わないため環境負荷が低減でき、コスト削減の見通しを得て、産業技術研究助成事業(NEDO)に繋ぎました。
研究制度: 地域研究開発促進拠点支援(RSP)事業
研究所管省庁:
文部科学省
研究所管機関:
独立行政法人科学技術振興機構
上位研究課題 (1件):

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