研課題
J-GLOBAL ID:201204088120593225  研究課題コード:5529 更新日:2013年10月07日

次世代半導体へのイオン注入用パルス重イオンビーム発生技術の開発

実施期間:2007 - 継続中
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (1件):
研究概要:
次世代半導体材料である炭化ケイ素への新しいイオン注入技術を確立するためには高純度・大電流パルス重イオンビーム発生技術の開発が不可欠である。本課題では、ガスプラズマガンを用いたパルス重イオンビーム発生技術と開発したパルス電力技術を融合させることによって、高純度のイオンビーム発生を目標とし、炭化ケイ素デバイスの実用化に向けて、新しい高純度・大電流パルス重イオンビーム発生技術の開発を行うものである。
研究制度: シーズ発掘試験
研究所管省庁:
文部科学省
研究所管機関:
独立行政法人科学技術振興機構
上位研究課題 (1件):

前のページに戻る