研課題
J-GLOBAL ID:201204098288363549  研究課題コード:7244 更新日:2013年10月07日

酸化物ナノワイヤ構造を用いた不揮発性メモリ素子の開発

実施期間:2007 - 継続中
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (1件):
研究概要:
ボトムアップ的に作製されるナノ領域10nm以下の酸化物ナノワイヤをテンプレートとした新規ナノへテロ構造を高温プロセスで作製し、作製されたヘテロナノワイヤをシリコン基板上の電極間に低温プロセスでポジショニングすることにより、従来のリソグラフィー微細化限界を遥かに凌駕したナノ領域10nm以下での高集積化が可能となる遷移金属酸化物を用いた不揮発性メモリ素子を実現する。
研究制度: シーズ発掘試験
研究所管省庁:
文部科学省
研究所管機関:
独立行政法人科学技術振興機構
上位研究課題 (1件):

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