研究者

J-GLOBAL ID：201301005818455480 更新日: 2024年01月30日

東條孝志

toujyou takashi | takashi toujyou

所属機関・部署：
職名：技術専門職員

研究分野 (1件)：薄膜、表面界面物性

競争的資金等の研究課題 (1件)：

2010 - 2010 高温・砒素雰囲気下における配列制御型ナノ構造の作製

論文 (7件)：

Takashi Toujyou, Tomoya Konishi, Motoi Hirayama, Koichi Yamaguchi, Shiro Tsukamoto. Intermittent growth for InAs quantum dot on GaAs(001). Journal of Crystal Growth. 2020. 551. 125891-125891
T. Toujyou, T. Otsu, D. Wakamatsu, M. Kurisaka, T. Konishi, S. Tsukamoto. In situ STM observations of step structures in a trench around an InAs QD at 300°C. Journal of Crystal Growth. 2013. 378. 44-46
Takashi Toujyou, Shiro Tsukamoto. In situ STM observation during InAs growth in nano holes at 300°C. Surface Science. 2011. 605. 13-14. 1320-1323
Tomoya Konishi, Nagatoshi Nishiwaki, Takashi Toujyou, Takuma Ishikawa, Teruki Teraoka, Yukiko Ueta, Yoshifumi Kihara, Hideji Moritoki, Tatsuo Tono, Mio Musashi, et al. Surface study of organopalladium molecules on S-terminated GaAs. Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 2011. 8. 2. 405-407
Takashi Toujyou, Shiro Tsukamoto. In situ STM observation of site- controlled InAs nano-dot growth on GaAs(001) during In and As4 irradiations. physica status solidi (c). 2011. 8. 2. 402-404

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MISC (21件)：

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