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J-GLOBAL ID：201302200000141376   整理番号：13A0847116

SiC結晶成長に新しい世界を開く SiC結晶の長期昇華成長における熱的場と界面形状に及ぼす含有物の透明度

Opening Up a New World of Crystal Growth on SiC Effect of the Inclusion of Transparency on the Thermal Field and Interface Shape in Long-term Sublimation Growth of SiC Crystals

著者 (2件)： GAO Bing (Kyushu Univ., Kasuga) ,  KAKIMOTO Koichi (Kyushu Univ., Kasuga)
資料名： 日本結晶成長学会誌  (Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
巻： 40  号： 1  ページ： 20-24  発行年： 2013年04月 
JST資料番号： F0452B  ISSN： 0385-6275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC結晶の透明度が,長期の昇華成長に影響を及ぼすものかどうか,また,透明な含有物を有するときと,有しないときとの結果に差異が生じるものかどうかを決定するために,熱的過程と物質輸送過程における,アルゴンガスとガス種の圧縮性効果,流動効果,浮力効果,フローカップリング,並びに,Stefan効果など,ほぼすべての効果を考慮した広域解法を開発した。その結果は,SiC結晶の透明度が結晶,シードホルダー,およびガスチャンバ内部の温度場分布,並びに,成長界面の形状に影響を及ぼすことを示した。それゆえに,SiC PVT成長における広域シミュレーションでは,SiC結晶の透明度を無視するべきではないと考える。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  *気相成長 ,  *昇華 ,  *透明度 ,  包有物 ,  温度分布 ,  形態 ,  *計算機シミュレーション
準シソーラス用語： 成長界面形状

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (18件)：

• WANG, X. L. Int. J. Heat Mass Transfer. 2007, 50, 1221
• WANG, X. L. J. Crystal Growth. 2007, 305, 122
• SELDER, M. J. Crystal Growth. 2000, 211, 333
• SEGAL, A. S. J. Crystal Growth. 2000, 208, 431
• PONS, M. J. Electrochem. Soc. 1996, 143, 3727

タイトルに関連する用語 (9件)： SiC ,  結晶成長 ,  世界 ,  結晶 ,  長期 ,  昇華 ,  成長 ,  界面 ,  透明度