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J-GLOBAL ID：201302200089348297   整理番号：13A1773626

Al/Al₂O₃/Al及びAl/Al₂O₃/W薄膜層を用い,BEOLプロセシングにより300°Cでガラス上に作製したMIMベース不揮発性メモリの電気特性の比較

Comparison of the Electrical Characteristics of MIM Based Non-Volatile Memories Using Al/Al₂O₃/Al and Al/Al₂O₃/W Thin Film Layers and Fabricated on Glass at 300°C for Back End Of Line Processing

著者 (7件)： MOLINA Joel (National Inst. of Astrophysics, Optics and Electronics (INAOE), Puebla, MEX) ,  VALDERRAMA Rene (National Inst. of Astrophysics, Optics and Electronics (INAOE), Puebla, MEX) ,  ZUNIGA Carlos (National Inst. of Astrophysics, Optics and Electronics (INAOE), Puebla, MEX) ,  ROSALES Pedro (National Inst. of Astrophysics, Optics and Electronics (INAOE), Puebla, MEX) ,  CALLEJA Wilfrido (National Inst. of Astrophysics, Optics and Electronics (INAOE), Puebla, MEX) ,  TORRES Alfonso (National Inst. of Astrophysics, Optics and Electronics (INAOE), Puebla, MEX) ,  GUTIERREZ Edmundo (National Inst. of Astrophysics, Optics and Electronics (INAOE), Puebla, MEX)
資料名： Abstract. JSAP-MRS Joint Symposia (CD-ROM)  (Abstract. JSAP-MRS Joint Symposia (CD-ROM))
ページ： ROMBUNNO.18P-PM1-18  発行年： 2013年 
JST資料番号： M20130006  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  電気抵抗 ,  *MIM構造 ,  *アルミニウム ,  *タングステン ,  *酸化アルミニウム ,  誘電体薄膜 ,  焼なまし ,  *半導体プロセス ,  電子ビーム蒸着 ,  表面粗さ ,  不揮発性メモリ
準シソーラス用語： *ReRAM ,  アニーリング ,  *BEOL ,  メモリスタ

分類 (4件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (10件)： Al ,  Al2O3 ,  薄膜層 ,  BEOL ,  プロセシング ,  ガラス ,  作製 ,  MIM ,  不揮発性メモリ ,  電気特性