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J-GLOBAL ID：201302200137278018   整理番号：13A1373656

2硫化モリブデン原子層の気相成長と粒界

Vapour phase growth and grain boundary structure of molybdenum disulphide atomic layers

著者 (11件)： NAJMAEI Sina (Rice Univ., Texas, USA) ,  LIU Zheng (Rice Univ., Texas, USA) ,  ZHOU Wu (Vanderbilt Univ., Tennessee, USA) ,  ZHOU Wu (Oak Ridge National Lab., Tennessee, USA) ,  ZOU Xiaolong (Rice Univ., Texas, USA) ,  SHI Gang (Rice Univ., Texas, USA) ,  LEI Sidong (Rice Univ., Texas, USA) ,  YAKOBSON Boris I. (Rice Univ., Texas, USA) ,  IDROBO Juan-Carlos (Oak Ridge National Lab., Tennessee, USA) ,  AJAYAN Pulickel M. (Rice Univ., Texas, USA) ,  LOU Jun (Rice Univ., Texas, USA)
資料名： Nature Materials  (Nature Materials)
巻： 12  号： 8  ページ： 754-759  発行年： 2013年08月 
JST資料番号： W1364A  ISSN： 1476-1122  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MoS₂単層構造は次世代ナノエレクトロニクス用材料として期待されている。本研究では,2硫化モリブデン原子膜を,MoO₃およびSを前駆体としてSiO₂/Si基板上に850°Cで気相法により作製し,成長機構と電気特性を評価した。SEM,TEM,STEM,XPS測定を行うと共に,電界効果トランジスターを形成して電気特性を評価した。結晶性単層膜の核発生,成長と粒界形成の機構を明らかにした。核発生支配の成長を行うことにより,大面積,単層膜および数層膜の形成を可能にした。また,MoS₂膜はn型伝導を示し,移動度4.3±0.8cm²V^-1s^-1とオンオフ比の最大値として6×10⁶を得た。

シソーラス用語： エレクトロセラミック ,  *硫化モリブデン ,  製膜 ,  原子層エピタクシー ,  前駆体 ,  酸化モリブデン ,  硫黄 ,  電気的性質 ,  FET【トランジスタ】 ,  反応機構 ,  核形成 ,  結晶粒界 ,  N型半導体 ,  キャリア移動度 ,  表面構造

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 2硫化モリブデン ,  原子層 ,  気相成長 ,  粒界