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J-GLOBAL ID：201302200681463163   整理番号：13A1438770

ケイ素を有するエピタキシャル炭化ケイ素界面での非常に圧縮されたナノ層の証拠

Evidence of a highly compressed nanolayer at the epitaxial silicon carbide interface with silicon

著者 (5件)： IACOPI Francesca (Queensland Micro and Nanotechnology Centre, Griffith Univ., Nathan 4111, Queensland, AUS) ,  BROCK Ryan E. (Materials Sci. and Engineering Dep., Stanford Univ., Stanford, CA 94305-4034, USA) ,  IACOPI Alan (Queensland Micro and Nanotechnology Centre, Griffith Univ., Nathan 4111, Queensland, AUS) ,  HOLD Leonie (Queensland Micro and Nanotechnology Centre, Griffith Univ., Nathan 4111, Queensland, AUS) ,  DAUSKARDT Reinhold H. (Materials Sci. and Engineering Dep., Stanford Univ., Stanford, CA 94305-4034, USA)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 61  号： 17  ページ： 6533-6540  発行年： 2013年10月 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 10nmまでの解像度のエピタキシャル炭化ケイ素皮膜の層ごとの残留応力を評価する新規な方法論によって,皮膜とそれらのシリコン基板との間の非常に圧縮された界面のナノ層の存在を示した。この層は,300から最大で1300MPaに変化する,皮膜の全厚さで測定した残留引張応力の程度にかかわりなく,ここで調べたすべてのタイプの炭化ケイ素皮膜の下に首尾一貫して存在した。被膜成長プロセスの酸化処理段階にこのナノ層を連結し,マイクロマシン化メンブレンのバルジ試験による破壊挙動に関して,その意味を詳細に考察した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ケイ素 ,  ナノ構造 ,  超薄膜 ,  *炭化ケイ素 ,  残留応力 ,  薄膜 ,  炭化 ,  加工性試験 ,  界面 ,  *エピタクシー ,  圧縮 ,  引張応力 ,  ウエハ【IC】 ,  破壊 ,  マイクロマシン ,  ナノシート
準シソーラス用語： エピタキシャル膜 ,  シリコン基板 ,  ナノ層 ,  バルジ試験

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (6件)： ケイ素 ,  エピタキシャル ,  炭化ケイ素 ,  界面 ,  ナノ層 ,  証拠