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J-GLOBAL ID：201302200885301642   整理番号：13A0955172

光カソード層としてのAl_xZn_1-xO合金薄膜の深紫外線検出特性

Deep ultraviolet detecting property of Al _x Zn_{1- x} O alloy thin film as photocathode layer

著者 (3件)： DENG Xue-ran (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, UESTC, Chengdu 610054, People’s Republic of China) ,  DENG Hong (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, UESTC, Chengdu 610054, People’s Republic of China) ,  WEI Min (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, UESTC, Chengdu 610054, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 563  ページ： 99-103  発行年： 2013年06月25日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光カソード層としてAl_xZn_1-xO(AZO)合金薄膜の深紫外線検出特性を調べた。AZO薄膜はRFマグネトロンスパッタリングでAl濃度約30at%のセラミックターゲットを用いて堆積させた。簡易に作製した光検出器を用い,波長254nm,強度0.5mW/cm²のUVを照射して,バイアス80Vでほぼ3桁のUV/暗コントラストが得られた。光電流は照射後,外部電場なしでも生成し,バイアスが80Vに達すると飽和に達した。ZnOのフォトルミネッセンススペクトルにある波長380nm付近の従来のUV発光ピークはAZO薄膜には存在しない。AZO薄膜の光学バンドギャップは4.41eVで,対応するカットオフ波長は281nmである。高い発光効率を可能としたこの薄膜の負の表面電位は表面障壁の除去のためケルビンプローブ顕微鏡を用いて検出した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化物 ,  *アルミニウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *薄膜 ,  石英ガラス ,  基板 ,  ターゲット ,  酸化アルミニウム ,  酸化亜鉛 ,  *RFスパッタリング ,  酸素 ,  透明導電膜 ,  *紫外線 ,  *光検出 ,  *光電陰極 ,  光学ギャップ ,  表面電位 ,  エネルギー変換効率
準シソーラス用語： AZO ,  光カソード ,  光学バンドギャップ ,  酸化物薄膜 ,  紫外線検出 ,  深紫外線 ,  発光効率 ,  溶融石英

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  計測機器一般  (AD02000X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 光カソード ,  合金薄膜 ,  深紫外線