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J-GLOBAL ID：201302201392476261   整理番号：13A0623572

窒化ケイ素ナノ細孔におけるK⁺,Na⁺及びMg²⁺によるDNA転座

K⁺, Na⁺, and Mg²⁺ on DNA translocation in silicon nitride nanopores

著者 (6件)： UPLINGER James (Univ. Arkansas, AR, USA) ,  THOMAS Brian (Univ. Arkansas, AR, USA) ,  ROLLINGS Ryan (Univ. Arkansas, AR, USA) ,  FOLOGEA Daniel (Univ. Arkansas, AR, USA) ,  MCNABB David (Univ. Arkansas, AR, USA) ,  LI Jiali (Univ. Arkansas, AR, USA)
資料名： Electrophoresis  (Electrophoresis)
巻： 33  号： 23  ページ： 3448-3457  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： A0626B  ISSN： 0173-0835  CODEN： ELCTDN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ケイ素ナノ細孔におけるDNA転座に及ぼすK⁺,Na⁺及びMg²⁺の影響を調べた。直鎖,環状及びスーパーコイル型dsDNA転座をKCl,NaCl及びMgCl₂含有塩溶液中で測定したところ,KCl濃度の減少(1~0.1M)とともにDNA分子のナノ細孔を通過する時間も短くなり,DNA電気泳動移動度やDNA長さが増加することが分かった。Na⁺及びMg²⁺はK⁺に比べて大きな対イオン電荷遮断力を示した。PCR増幅及びゲル電気泳動を適用し,ナノ細孔(~10nm)によるdsDNA分子転座を実証した。

シソーラス用語： *ゲル電気泳動 ,  *PCR法 ,  対イオン ,  細孔 ,  *DNA【核酸】 ,  窒化ケイ素 ,  ナノ構造 ,  カルシウム化合物 ,  金属イオン ,  カリウム化合物 ,  マグネシウム化合物 ,  濃度依存性 ,  電荷分布 ,  立体配座 ,  *配座転移 ,  転座
準シソーラス用語： カリウムイオン ,  カルシウムイオン ,  ナノ細孔 ,  マグネシウムイオン

分類 (3件)： 電気泳動分析  (CC04017K) ,  核酸一般  (EB04010U) ,  分子遺伝学一般  (EC02010J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 窒化ケイ素 ,  ナノ細孔 ,  DNA ,  転座