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J-GLOBAL ID：201302201430965301   整理番号：13A0342656

ホイスカ成長に及ぼす表面酸化物の影響

The Influence of Surface Oxides on Whiskering

著者 (5件)： CRANDALL E. R. (Auburn Univ., AL) ,  FLOWERS G. T. (Auburn Univ., AL) ,  LALL P. (Auburn Univ., AL) ,  SNIPES E. K. (Auburn Univ., AL) ,  BOZACK M. J. (Auburn Univ., AL)
資料名： Proceedings of the IEEE Holm Conference on Electrical Contacts  (Proceedings of the IEEE Holm Conference on Electrical Contacts)
巻： 58th  ページ： 275-279  発行年： 2012年 
JST資料番号： E0462C  ISSN： 1062-6808  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 環境影響への無鉛製品への移行に伴い,電子部品組立におけるSn鍍金膜からの自発的ホイスカ成長への関心が高まっている。ホイスカ成長に表面酸化物が必要とするとの仮説には明らかに疑問がある。原子レベルで洗浄な表面や酸素量が極端に少ない表面からもSnホイスカが成長し得ることが幾つか示されている。本研究では,自然酸化物の存在しない表面からホイスカを成長させる試みを行い,表面酸化の仮説を決定的に試験した。Si上にスパッタしたAu薄膜から高アスペクト比のAuホイスカが数週間以内に成長し得ることを示した。

シソーラス用語： *ホイスカ ,  *酸化物 ,  金 ,  *結晶成長 ,  電子顕微鏡観察 ,  X線光電子スペクトル ,  質量スペクトル ,  Auger分光法
準シソーラス用語： *ホイスカ成長 ,  *表面酸化物

分類 (2件)： 金属の結晶成長  (BK13030M) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： ホイスカ ,  成長 ,  表面酸化