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J-GLOBAL ID：201302202289622922   整理番号：13A1101795

a-Si:H/μc-Si:Hタンデム太陽電池の光浸積の安定性の改善

Improving the light-soaking stability of a-Si:H/μc-Si:H tandem solar cells

著者 (7件)： Hou Guofu (Inst. of Photo-electronics Thin Film Devices and Technique of Nankai Univ.,Key Lab. of Photo-electronics Thin Film ...) ,  Lu Peng (Inst. of Photo-electronics Thin Film Devices and Technique of Nankai Univ.,Key Lab. of Photo-electronics Thin Film ...) ,  Han Xiaoyan (Inst. of Photo-electronics Thin Film Devices and Technique of Nankai Univ.,Key Lab. of Photo-electronics Thin Film ...) ,  Li Guijun (Inst. of Photo-electronics Thin Film Devices and Technique of Nankai Univ.,Key Lab. of Photo-electronics Thin Film ...) ,  Wei Changchun (Inst. of Photo-electronics Thin Film Devices and Technique of Nankai Univ.,Key Lab. of Photo-electronics Thin Film ...) ,  Geng Xinhua (Inst. of Photo-electronics Thin Film Devices and Technique of Nankai Univ.,Key Lab. of Photo-electronics Thin Film ...) ,  Zhao Ying (Inst. of Photo-electronics Thin Film Devices and Technique of Nankai Univ.,Key Lab. of Photo-electronics Thin Film ...)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 61  号： 13  ページ： 138401-1-138401-5  発行年： 2012年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： シリコンベースの薄膜太陽電池の光浸積の安定性を改善するのは,工業生産のための非常に切迫した課題である。良好な光浸積の安定性を持つ高能率a-Si:H/μc-Si:Hタンデム太陽電池を得るために,本論文で著者らは最初に高い光浸積安定性を持つa-Si:Hトップ太陽電池に関して結果を提示する。次に,著者らはa-Si:H/μc-Si:Hタンデム太陽電池の光浸積安定性に及ぼすμc-Si:H i層のN/Pトンネル接合とモノシラン濃度(SC)プロファイリングの影響を主に調査した。これまで著者らは,7%だけの光浸積分解比を持つa-Si:H/μc-Si:Hタンデム太陽電池を得ることができた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *太陽電池 ,  アモルファスシリコン ,  水素化物 ,  特徴抽出 ,  トンネル接合 ,  工業生産 ,  比率
準シソーラス用語： a-Si:H ,  タンデム太陽電池 ,  プロファイリング ,  *薄膜太陽電池 ,  分解比

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  タンデム太陽電池 ,  浸積 ,  安定性