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J-GLOBAL ID:201302202874298480   整理番号:13A0249915

p型Mg2(1+z)(Si0.3Sn0.7)1-yGayのGaドーピングと過剰なMgによる増進したホール濃度と熱電特性

Enhanced hole concentration through Ga doping and excess of Mg and thermoelectric properties of p-type Mg2(1+z)(Si0.3Sn0.7)1-y Ga y
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巻: 32  ページ: 352-361  発行年: 2013年01月 
JST資料番号: W0672A  ISSN: 0966-9795  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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Mg2(1+z)(Si0.3Sn0.7)1-yGay化合物の相組成と熱電特性に及ぼす過剰なMgばかりでなくGaのドーピング量の影響を詳細に解析する。Mgの含有量に関して,Mgの第二相をその過化学量論組成が7%を超えるときにはいつでも粒界において検出する。これに反して,XRDとEPMA解析はMgが化学量論組成量に関して3.5%以上不足しているとき相分離が起ることを示す。熱電特性測定はMgのいくらかの過化学量論組成と一緒に,GaドーピングはMg2(1+z)(Si0.3Sn0.7)1-yGayのホール濃度と電気伝導率を増進する一方同時にSeebeck係数を減少する。しかしながら,格子熱伝導率に及ぼす効果はほとんどない。結果はまたp型Mg2Si0.3Sn0.7基化合物において,Mg含有量が過化学量論組成であるときアンチサイト点欠陥MgSiを生成する。これはホールの増進した濃度に導く。GaとMgの最適化濃度を含むMg2.10(Si0.3Sn0.7)0.95Ga0.05は650Kにおいて達成される0.35の最高ZT値を持つ。本研究はGaのドーピングとMgの過剰両方ともMg2Si0.3Sn0.7のバンド構造と,高いホール濃度範囲においてp型Mg2Si0.3Sn0.7の輸送特性に及ぼす顕著な影響を持たない。本研究はまたMgの過化学量論組成量の利用によってp型Mg2Si1-xSnx固溶体の性能指数のさらなる最適化のための重要な原則を確立する。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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