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J-GLOBAL ID：201302202894230793   整理番号：13A0076253

歪によって駆動される構造変態によって誘起されるd⁰ペロブスカイトにおける電子サブバンドの再構成

Electronic Subband Reconfiguration in a d⁰-Perovskite Induced by Strain-Driven Structural Transformations

著者 (12件)： LAUKHIN V. (UAB, Catalonia, ESP) ,  LAUKHIN V. (Institucio Catalana de Recerca i Estudis Avancats (ICREA), Catalonia, ESP) ,  COPIE O. ,  ROZENBERG M. J. (Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA) ,  WEHT R. (Comision Nacional de Energia Atomica (CNEA), San Martin, ARG) ,  WEHT R. (Universidad Nacional de San Martin, San Martin, ARG) ,  BOUZEHOUANE K. ,  REYREN N. ,  JACQUET E. ,  BIBES M. ,  BARTHELEMY A. ,  HERRANZ G. (UAB, Catalonia, ESP)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 109  号： 22  ページ： 226601.1-226601.5  発行年： 2012年11月30日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 効果 ,  相転移 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  *電子構造 ,  バンド構造 ,  再構成 ,  ドーピング ,  *チタン酸ストロンチウム ,  *タンタル酸カリウム ,  キャリア移動度 ,  *強磁性半導体 ,  キャリア密度 ,  圧力効果 ,  Hall効果
準シソーラス用語： サブバンド ,  シートキャリア密度 ,  圧力依存性 ,  構造変態 ,  電子ドーピング ,  歪効果

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： 構造変態 ,  誘起 ,  ペロブスカイト ,  電子 ,  サブバンド ,  再構成