文献

J-GLOBAL ID：201302203224795400   整理番号：13A0913014

珪化ニッケル誘発横方向結晶化による高性能ポリSi薄膜トランジスタの製作

Fabrication of High Performance Poly-Si Thin Films Transistors by Nickel Silicide Induced Lateral Crystallization

著者 (3件)： Peng Shanglong (School of Physical Sci. & Technol.,Lanzhou Univ., Lanzhou) ,  Hu Duokai (School of Physical Sci. & Technol.,Lanzhou Univ., Lanzhou) ,  He Deyan (School of Physical Sci. & Technol.,Lanzhou Univ., Lanzhou)
資料名： Yejing yu Xianshi  (Yejing yu Xianshi)
巻： 27  号： 3  ページ： 303-307  発行年： 2012年 
JST資料番号： W1519A  ISSN： 1007-2780  CODEN： YYXIFY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 新しい結晶化法を,ポリSi薄膜トランジスタのために珪化ニッケル誘発横方向結晶化によって提案する。ポリSi薄膜はマイクロRaman分光法,オーガ電子分光法,および原子間力顕微鏡法によって特性評価した。また,ポリSi薄膜トランジスタを,活性層としてこのポリSiを使用して作る。その電気的性質を,ID-IG伝達曲線の測定値から得る。従来のニッケル誘起側方結晶化法を使用して製作した薄膜トランジスタと比較して,作製したポリSi薄膜トランジスタは,より低い漏れ電流とより高い電界効果移動性を示した。それはポリSiチャネルに於けるNi濃度の減少に起因した。また,粒界のトラップ準位は減少した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： ケイ化物 ,  ニッケル化合物 ,  結晶化 ,  *ポリシリコン ,  *薄膜トランジスタ ,  電気的性質 ,  電場効果 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： ケイ化ニッケル ,  電界効果 ,  特性評価

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 珪化ニッケル ,  誘発 ,  横方向 ,  結晶化 ,  ポリSi ,  薄膜トランジスタ ,  製作