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J-GLOBAL ID：201302203559564845   整理番号：13A0228953

CIGS薄膜光電池用の金属スパッタリングターゲット

Metallic Sputtering Targets for CIGS Thin Film Photovoltaics

著者 (4件)： ADELHELM C. (PLANSEE SE, Reutte, AUT) ,  KOESTENBAUER H. (PLANSEE SE, Reutte, AUT) ,  LINKE C. (PLANSEE SE, Reutte, AUT) ,  WINKLER J. (PLANSEE SE, Reutte, AUT)
資料名： Proceedings of the Annual Technical Conference. Society of Vacuum Coaters  (Proceedings of the Annual Technical Conference. Society of Vacuum Coaters)
巻： 55th  ページ： 505-509  発行年： 2012年 
JST資料番号： E0063B  ISSN： 0737-5921  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu(In,Ga)S/Se₂(CIGS)吸収層を持つ薄膜太陽電池は高効率低コスト光電池の有力候補である。CIGS薄膜光電池は,Cr,Ti,Mo,MoTa,In,CuGa,CuInGa,AlドープZnOのスパッタリングターゲットを用いて作製した拡散障壁,バック接点,吸収層前駆体,透明導電性フロント接点から構成されている。スパッタリングはCIGS太陽電池の薄膜堆積過程において重要である。ターゲット材料はスパッタリング性能と薄膜特性に大きな影響を与える。ターゲット材料の特性は作製方法によって決定され,緻密,高純度,均一な微細組織のターゲットを作製するため,粉末冶金(PM)法が選択される。PM法は微細組織,相組成,金属間化合物相などを精密に制御できる。

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *セレン化インジウム銅 ,  スパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  *ターゲット ,  半導体薄膜 ,  *粉末冶金 ,  微細構造 ,  相組成 ,  金属間化合物 ,  純度 ,  不純物
準シソーラス用語： CIGS太陽電池 ,  薄膜太陽電池 ,  微細組織

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  電池一般  (YB04010O)

タイトルに関連する用語 (4件)： CIGS ,  薄膜 ,  光電池 ,  スパッタリングターゲット