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J-GLOBAL ID：201302203573517450   整理番号：13A1629852

45nmSOI CMOSによる23%のPAEおよび18dBmの出力電力を持つ45GHzドハーティ電力増幅器

A 45GHz Doherty Power Amplifier with 23% PAE and 18dBm Output Power, in 45nm SOI CMOS

著者 (6件)： AGAH Amir (Univ. California, CA) ,  HANAFI Bassel (Univ. California, CA) ,  DABAG Hayg (Univ. California, CA) ,  ASBECK Peter (Univ. California, CA) ,  LARSON Lawrence (Brown Univ., RI) ,  BUCKWALTER James (Univ. California, CA)
資料名： IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest  (IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest)
巻： 2012 Vol.2  ページ： 1363-1365  発行年： 2012年 
JST資料番号： A0636A  ISSN： 0149-645X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンベースの高出力,高効率ミリ波電力増幅器(PA)設計において,CMOS技術は低ブレークダウンと受動要素のQが低いためチャレンジングな課題であり,今なおSiGe技術が使われている。しかしSOI CMOSは実現できる技術となった。45nmSOI CMOS技術を使い,高いPAPR信号に対する45GHzミリ波ドハーティPAを開発した。低ブレークダウンを克服するため,主および予備PAの2スタック増幅とした。これにより,2.5Vの供給電圧で18dBmの出力を実現できた。PAEと利得改善のため遅波コプレーナ導波路(CPW)を採用し,3%および1dBの改善を得た,また,面積を20%減少できた。さらに,23%のピークPAE,6dBバックオフ時のPAEとして17%を実現した。

シソーラス用語： *電力増幅器 ,  半導体プロセス ,  *CMOS構造 ,  電力付加効率 ,  EHF波 ,  コプレーナ導波路
準シソーラス用語： *Doherty増幅器 ,  SOI ,  ミリ波

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (4件)： CMOS ,  PAE ,  出力電力 ,  電力増幅器