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J-GLOBAL ID：201302203929907313   整理番号：13A0029798

n-ZnOナノネイルアレイ/p⁺-GaNヘテロ接合ダイオードの作製とキャラクタリゼーション

Fabrication and Characterization of n-ZnO Nanonails Array/p⁺-GaN Heterojunction Diode

著者 (9件)： ZHU G. Y. (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  CHEN G. F. (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  LI J. T. (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  SHI Z. L. (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  LIN Y. (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  DING T. (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  XU X. Y. (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  DAI J. (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  XU C. X. (Southeast Univ., Nanjing, CHN)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 12  号： 10  ページ： 7950-7953  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p⁺-GaN基板上にCVDでn-ZnOナノネイルアレイを形成し,順方向バイアス下で青色エレクトロルミネセンス(EL)を示すヘテロ接合LEDを作製した。基板上に垂直に成長したn-ZnOナノネイルはウルツ鉱型のZnOで,細くて長い幹と直径約500nmの大きな六角形の頭部をもっている。ZnOナノネイルとGaNの光ルミネセンススペクトルおよびヘテロ接合LEDのELスペクトルを室温で測定して比較した。435および478nmのELスペクトルの二つのピークはそれぞれp⁺-GaN層のMgアクセプタ準位とn-ZnOナノネイルアレイの欠陥に関連している。このLEDのI-V特性を測定し,エネルギーバンド図と関連させて考察した。

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  N型半導体 ,  *ナノ構造 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  P型半導体 ,  *ヘテロ接合 ,  *発光ダイオード ,  ウルツ鉱型結晶 ,  *光ルミネセンス ,  *エレクトロルミネセンス ,  可視発光スペクトル ,  半導体薄膜 ,  化学蒸着 ,  不純物準位 ,  マグネシウム ,  ドーピング
準シソーラス用語： *ナノネイル

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： ZnO ,  GaN ,  ヘテロ接合 ,  ダイオード ,  作製 ,  キャラクタリゼーション