文献
J-GLOBAL ID:201302204999275590   整理番号:13A0349979

バルク半導体における電子波に対するメタ材料に示唆された模型

Metamaterial-inspired model for electron waves in bulk semiconductors
著者 (3件):
資料名:
巻: 86  号: 24  ページ: 245302.1-245302.14  発行年: 2012年12月 
JST資料番号: D0746A  ISSN: 1098-0121  CODEN: PRBMDO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
巨視的電気動力学の文脈で,そして電磁メタ材料の理論において使用される有効媒質法が1体Schroedinger方程式,そして特に閃亜鉛鉱型構造をもつバルク半導体,そして関連する半導体格子の場合に拡張できることを証明する。8バンドKane近似内で,バルク半導体化合物に対する有効ハミルトニアンを陽に計算することができた。伝導帯あるいは原子価帯の端部に近いエネルギーに付随する励起に対して,有効ハミルトニアンは,G.Bastardの形式,すなわち,包絡関数近似に一致するより単純な形式に還元される。筆者らの結果は,包絡関数近似が電磁メタ材料の文脈で使用される有効媒質理論に関係づけられることを強調している。数種のバルク半導体化合物の電子構造を検討し,電磁メタ材料との類似を強調した。提案したアプローチを用いて,ゼロギャップそして線形エネルギー-運動量分散をもつバルク半導体における波束の発展を検討した。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体結晶の電子構造 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る