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J-GLOBAL ID:201302205057733450   整理番号:13A0923670

種々の配向歪により誘起されたケイ素価電子帯の異方性

Anisotropy of the silicon valence band induced by strain with various orientations
著者 (4件):
資料名:
巻: 113  号: 18  ページ: 183718-183718-13  発行年: 2013年05月14日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  半導体結晶の電子構造 
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