20nmDRAM周辺トランジスターを超えて:課題とイオン注入解決法

文献

J-GLOBAL ID：201302205400419286 整理番号：13A0811087

Beyond 20nm DRAM peripheral transistor: Challenges and ion implantation solutions

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資料名：
巻： 1496 ページ： 22-25 発行年： 2012年
JST資料番号： D0071C ISSN： 0094-243X 資料種別：会議録 (C)
発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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