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J-GLOBAL ID：201302205420240207   整理番号：13A0253631

メモリスタベースのメモリ: 抜け道問題と解決法

Memristor-based memory: The sneak paths problem and solutions

著者 (4件)： ZIDAN Mohammed Affan (Electrical Engineering, King Abdullah Univ. of Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia) ,  FAHMY Hossam Aly Hassan (Electronics and Communication Dep., Fac. of Engineering, Cairo Univ., Cairo, Egypt) ,  HUSSAIN Muhammad Mustafa (Electrical Engineering, King Abdullah Univ. of Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia) ,  SALAMA Khaled Nabil (Electrical Engineering, King Abdullah Univ. of Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia)
資料名： Microelectronics Journal  (Microelectronics Journal)
巻： 44  号： 2  ページ： 176-183  発行年： 2013年02月 
JST資料番号： A0186A  ISSN： 0026-2692  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,メモリスタベースのメモリの読取動作について調べた。抜け道問題を解析し,雑音余裕計量を提供して,文献に提案されている様々な解決法を比較した。それらの解決法に伴う消費電力も解析した。さらに,抜け道に対するメモリアレイのアスペクト比の影響を調べた。最後に,3端子記憶素子デバイスを用いてメモリセルをゲート制御することにより,抜け道問題を解決するための新しい手法を導入した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *回路部品 ,  *データ読取 ,  *電気回路 ,  *記憶装置 ,  経路 ,  雑音余裕 ,  消費電力 ,  記憶素子 ,  制御 ,  アスペクト比
準シソーラス用語： *メモリスタ ,  *読取回路 ,  抜け道 ,  ゲート制御

分類 (2件)： その他の電子回路  (NC05090X) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： メモリスタ ,  解決法