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J-GLOBAL ID：201302205510850390   整理番号：13A0059089

よく垂直配向したP(VDF-TrFE)ナノロッドアレイの作製

Fabrication of Vertically Well-Aligned P(VDF-TrFE) Nanorod Arrays

著者 (6件)： OH Sehoon (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol.(KAIST), Daejeon, KOR) ,  KIM Yeontae (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol.(KAIST), Daejeon, KOR) ,  CHOI Yoon-Young (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol.(KAIST), Daejeon, KOR) ,  KIM Dongjin (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol.(KAIST), Daejeon, KOR) ,  CHOI Hyunwoo (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol.(KAIST), Daejeon, KOR) ,  NO Kwangsoo (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol.(KAIST), Daejeon, KOR)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 24  号： 42  ページ： 5708-5712  発行年： 2012年11月08日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化ケイ素/ケイ素基板表面に細孔(120nm,1.2μm深)アレイパターンを形成した(A)。Aをテンプレートとしてポリ(フッ化ビニリデン-co-トリフルオロエチレン)のN,N-ジメチルアセトアミド溶液を含浸,結晶化後,KOH溶液によりテンプレートを除去してP(VDF-TrFE)ナノロッドの垂直配向アレイを作製した。FTIR,走査電子顕微鏡,すれすれ入射IRAS,X線回折によりキャラクタリゼーションを行った。

シソーラス用語： 酸化ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  細孔 ,  パターン形成 ,  *鋳型反応 ,  含浸 ,  結晶化 ,  溶出 ,  *配列 ,  配向 ,  赤外吸収スペクトル ,  走査電子顕微鏡 ,  すれすれ入射 ,  赤外反射吸収分光法 ,  X線回折 ,  *フッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン共重合体
準シソーラス用語： *VDF-TrFE ,  FTIRスペクトル ,  IRAS ,  ケイ素基板 ,  テンプレート【鋳型反応】 ,  *ナノロッドアレイ ,  *ポリフッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン

分類 (4件)： 固体の表面構造一般  (BK15010E) ,  高分子固体の構造と形態学  (CG02022M) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  圧電デバイス  (NC03110I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 垂直配向 ,  VDF-TrFE ,  ナノロッドアレイ ,  作製