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J-GLOBAL ID：201302205768669720   整理番号：13A0758080

ケイ素上のハイブリッドIII-Vレーザ

Hybrid III-V on Silicon lasers

著者 (8件)： BEN BAKIR B. (Leti, CEA, Grenoble, FRA) ,  DESCOS A. (Leti, CEA, Grenoble, FRA) ,  BORDEL D. (Leti, CEA, Grenoble, FRA) ,  GROSSE Ph. (Leti, CEA, Grenoble, FRA) ,  OLIVIER N. (Leti, CEA, Grenoble, FRA) ,  FEDELI J-M. (Leti, CEA, Grenoble, FRA) ,  KOPP C. (Leti, CEA, Grenoble, FRA) ,  MENEZO S. (Leti, CEA, Grenoble, FRA)
資料名： Annual Meeting of the IEEE Photonics Society  (Annual Meeting of the IEEE Photonics Society)
巻： 2012  ページ： 185-186  発行年： 2012年 
JST資料番号： T0931A  ISSN： 1092-8081  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上に光集積する技術においてSOI構造にIII-V族半導体薄膜を成長する技術が有望とされている。2つの結合導波路系の超モード制御をベースにした電気的に駆動されるハイブリッドIII-V(光利得領域)/Siレーザを示した。ボトムケイ素導波路との結合効率を維持しながら利得領域との重なりを大きくする様に光超モードを制御する。ハイブリッド構造の一例を示した。トップ導波路はInP/InGaAsヘテロ構造で光利得が得られ,Fabry-Perotレーザ共振器は,SiO₂層で分離した2つの垂直重なり導波路で形成される。ボトムケイ素導波路は,2つのテーパ状リブ導波路(モード変換器)と2つの分布帰還Bragg反射器から成る。15°Cで16.5mWの最大出力,11.8%の最大微分量子効率を得た。また集積したハイブリッドIII-V/Siの可変レーザも紹介した。

シソーラス用語： *集積光学 ,  *基板 ,  ケイ素 ,  ハイブリッド系 ,  *リン化インジウム ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  レーザ共振器 ,  *半導体レーザ ,  利得 ,  *光導波路 ,  *SOI構造 ,  *可変波長レーザ
準シソーラス用語： 光利得

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  光集積回路,集積光学  (BD06050D)

タイトルに関連する用語 (2件)： ケイ素 ,  レーザ