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J-GLOBAL ID：201302206001142838   整理番号：13A0052644

ポリ(3-ヘキシルチオフェン)中のNiナノ結晶を埋込んだ不揮発性のハイブリッドメモリセル

Nonvolatile Hybrid Memory Cell Embedded with Ni Nanocrystals in Poly(3-hexylthiophene)

著者 (2件)： LEE Jong-Dae (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Jea-Gun (Hanyang Univ., Seoul, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 12  ページ： 120202.1-120202.3  発行年： 2012年12月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： セル面積が4F²,Fは特徴サイズ,のポリ(3-ヘキシルチオフェン(P3HT))中のNiナノ結晶を埋込んだ不揮発性のクロスバー形ハイブリッドメモリセルを開発した。このセルは,-5×10のメモリマージン,10³回を越える書き込み/消去サイクル,及び85°Cで10⁴の保持時間などの不揮発性メモリ特性を実証した。また,このハイブリッドメモリセルの不揮発性メモリ動作が起こる機構は,空間電荷制限電流とFowler-Nordheimトンネリング伝導の組合せで確かめた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ポリヘキシルチオフェン ,  ニッケル ,  ナノ結晶 ,  *不揮発性メモリ ,  *記憶素子 ,  保持時間 ,  空間電荷制限電流 ,  Fowler-Nordheimトンネリング ,  埋込み【挿入】 ,  入出力特性
準シソーラス用語： P3HT【重合体】 ,  メモリセル ,  ハイブリッドシステム ,  書込マージン

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (10件)：

• 1) J. G. Park, W. S. Nam, S. H. Seo, Y. G. Kim, Y. H. Oh, G. S. Lee, and U. G. Paik: Nano Lett. 9 (2009) 1713.
• 2) M. Terai, K. Fujita, and T. Tsutsui: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) 3754.
• 3) L. P. Ma, S. Pyo, J. Ouyang, Q. Xu, and Y. Yang: Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 1419.
• 4) M. Lauters, B. McCarthy, and D. Sarid: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 013507.
• 5) J. Ouyang, C. W. Chu, D. Sieves, and Y. Yang: Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 123507.

タイトルに関連する用語 (6件)： 3-ヘキシルチオフェン ,  Ni ,  ナノ結晶 ,  埋込 ,  不揮発性 ,  メモリセル