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J-GLOBAL ID：201302206153666743   整理番号：13A0016218

高アスペクト比のテルル化カドミウム水銀センサのための先進型のAl₂O₃の共形薄膜

Advanced thin conformal Al₂O₃ films for high aspect ratio mercury cadmium telluride sensors

著者 (2件)： FU Richard (U.S. Army Res. Lab., Maryland) ,  PATTISON James (U.S. Army Res. Lab., Maryland)
資料名： Optical Engineering  (Optical Engineering)
巻： 51  号： 10  ページ： 104003.1-104003.4  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： B0577B  ISSN： 0091-3286  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テルル化カドミウム水銀(HgCdTe)は赤外センサなどに利用されている。HgCdTe半導体薄膜は,Hg減損を避けるために低温で堆積しなければならない。この低温堆積法として,低温プラスマ増強原子層蒸着(PE-ALD)が注目されている。この方法を利用すると高共形薄膜を堆積できる。本論文では,テルル化カドミウム水銀センサで高アスペクト比を実現するために,共形薄膜の堆積法について検討した。PE-ALDで堆積した膜の粗度,厚みおよび誘電率を測定することで,低温PE-ALDの有効性を評価した。高アスペクト比構造をHgCdTeにドライエッチング法で形成し,Al₂O₃の膜を堆積した。これを走査電子顕微鏡法で検討した。この結果,先進型のAl₂O₃の共形薄膜を堆積できることが分かった。トレンチ,ピラーおよびホールなどの共形被覆を実現した。

シソーラス用語： *テルル化カドミウム水銀 ,  電子顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  ドライエッチング ,  アスペクト比 ,  半導体薄膜 ,  *赤外検出器 ,  化学蒸着 ,  単原子層 ,  *光センサ ,  *酸化アルミニウム ,  共形不変性 ,  *誘電体薄膜
準シソーラス用語： 原子層蒸着 ,  赤外センサ ,  走査電子顕微鏡法

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高アスペクト比 ,  テルル化カドミウム水銀 ,  Al2O3 ,  形 ,  薄膜