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J-GLOBAL ID：201302206566518459   整理番号：13A1238989

最大80nmに達する3bB帯域幅を持つ二重被覆イッテルビウムドープの超蛍光ファイバ源

Double Cladding Ytterbium Doped Superfluorescence Fiber Source with 3 dB Bandwidth Reaching up to 80 nm

著者 (5件)： Han Xu (Coll. of Electronics and Information Engineering, Sichuan Univ., Chengdu) ,  Feng Guoying (Coll. of Electronics and Information Engineering, Sichuan Univ., Chengdu) ,  Han Jinghua (Coll. of Electronics and Information Engineering, Sichuan Univ., Chengdu) ,  Wu Chuanlong (Coll. of Electronics and Information Engineering, Sichuan Univ., Chengdu) ,  Zhou Shouhuan (Coll. of Electronics and Information Engineering, Sichuan Univ., Chengdu)
資料名： Guangpuxue yu Guangpu Fenxi  (Guangpuxue yu Guangpu Fenxi)
巻： 32  号： 11  ページ： 3040-3043  発行年： 2012年 
JST資料番号： C2093A  ISSN： 1000-0593  CODEN： GYGFED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文は,複光路前方超蛍光ファイバ源(SFS)を報告する。それは,大モード領域二重被覆イッテルビウムドープファイバの長さを利得媒質として使用する。このSFSの最大出力は341mWである。201と341mWの間の出力で,このSFSの3dB帯域幅は80nm以上だった。これは,イッテルビウムドープのSFSから得られた最も広い3dB帯域幅である。SFSの出力は,ポンプ源射出電流の増大に伴って直線的に増大した。その出力は非常に高いが,正常状況の下で,それはSFSの要求を満足できる。石英基板におけるイッテルビウムイオンのエネルギーレベル構造とイッテルビウムイオンの吸収断面/発光断面から,超蛍光の原因となる物理的機構を分析した。この二重被覆イッテルビウムドープの超蛍光ファイバレーザーは,1025及び1075nm近くの超蛍光放射から利益を得て,そのため,最大80nmに達する3dB帯域幅を持つ超蛍光を得られる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： イッテルビウム ,  *光ファイバ ,  被覆 ,  超放射 ,  ドーピング ,  帯域幅 ,  ファイバレーザ ,  エネルギー準位 ,  出力 ,  基板 ,  媒質
準シソーラス用語： 二重被覆 ,  超蛍光 ,  ドープ ,  光ファイバレーザ ,  エネルギーレベル ,  最大出力 ,  石英基板 ,  利得媒質

分類 (1件)： 分光分析  (CC03012W)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二重被覆 ,  イッテルビウム ,  ドープ ,  超蛍光 ,  ファイバ