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J-GLOBAL ID：201302207125621986   整理番号：13A0748481

THz通信モジュール用絶縁材料の複素誘電率の測定

Measurement of complex permittivity of insulating materials for THz telecommunication modules

著者 (4件)： FUKUNAGA K. (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  MIZUNO M. (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  TOSAKA T. (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  FUJII K. (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Annual Report. Conference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena  (Annual Report. Conference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena)
巻： 2012  ページ： 448-450  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0693A  ISSN： 0084-9162  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 20GHz~3THzの周波数領域で誘電材料の複素誘電率を測定する装置を開発し,それによる測定結果を紹介した。この周波数領域は,110GHz程度までの測定が可能なベクトルネットワークアナライザと12THz以上の周波数に対応するフーリエ変換赤外分光(FTIR)分析法の中間に位置し,従来測定が行われていないテラヘルツギャップと呼ばれる領域である。本手法を用いて種々の吸湿環境に曝したポリイミドおよび高精細ディスプレイ用ケーブルの絶縁に用いられている液晶高分子の比誘電率および誘電損失(tanδ)の測定結果を示した。液晶高分子は,湿度の影響が極めて小さく,その誘電特性は,120°Cの圧力釜試験後も乾燥状態と殆ど変らず,THz通信に対する優れた絶縁材料となり得る。

シソーラス用語： EHF【周波数】 ,  周波数領域 ,  *絶縁材料 ,  *複素誘電率 ,  電気測定 ,  ポリイミド ,  高分子液晶 ,  誘電損失 ,  *無線伝送 ,  テラヘルツ波 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： 測定装置 ,  テラヘルツ ,  比誘電率

分類 (1件)： 絶縁材料  (NA04030W)

タイトルに関連する用語 (3件)： モジュール ,  絶縁材料 ,  複素誘電率