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J-GLOBAL ID：201302207346924720   整理番号：13A1149076

放射線及び光検出器としてのグラフェン電界効果トランジスタ

Graphene field effect transistor as a radiation and photo detector

著者 (4件)： KOYBASI Ozhan (Purdue Univ., IN) ,  CHILDRES Isaac (Purdue Univ., IN) ,  JOVANOVIC Igor (Penn State Univ., PA) ,  CHEN Yong P. (Purdue Univ., IN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8373  ページ： 83730H.1-83730H.8  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CVD成長グラフェンを用いた電界効果トランジスタ(FET)及びその放射線検出器及び光検出器への応用を述べた。入射光子により吸収体基板に誘起された電荷キャリアは,グラフェン付近の電場を修正し,グラフェン抵抗率の変化を引き起こした。室温における光子へのグラフェンFETの強い電界効果応答は,新しい検出概念に基づいた高性能光検出器としての可能性を高くした。速度性能を大きく増倍することを狙って,電流単純なFET構造の代わりに,DEPFETアーキテクチャへグラフェンを構成した。TCADシミュレーションは,DEPFET素子における高速グラフェンの実現への洞察を与えた。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *炭素材 ,  *放射線検出器 ,  *光検出器 ,  化学蒸着 ,  *光子 ,  キャリア ,  電場効果 ,  電気抵抗率 ,  *応答 ,  CAD【計算機】 ,  シミュレーション ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 電界効果トランジスタ ,  CVD【化学蒸着】 ,  電荷キャリア ,  TCAD

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  放射線検出・検出器  (AD08020J) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 放射線 ,  光検出器 ,  グラフェン ,  電界効果トランジスタ