移動可能なシリコンナノ膜における量子閉じ込め効果及びそれらの通常ではない基板への適用

JANG Houk; JANG Houk; LEE Wonho; WON Sang M.; RYU Seoung Yoon; LEE Donghun; KOO Jae Bon; AHN Seong-Deok; YANG Cheol-Woong; YANG Cheol-Woong; JO Moon-Ho; CHO Jeong Ho; ROGERS John A; AHN Jong-Hyun

文献

J-GLOBAL ID：201302207349351747 整理番号：13A1940758

移動可能なシリコンナノ膜における量子閉じ込め効果及びそれらの通常ではない基板への適用

Quantum Confinement Effects in Transferrable Silicon Nanomembranes and Their Applications on Unusual Substrates

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資料名：
巻： 13 号： 11 ページ： 5600-5607 発行年： 2013年11月
JST資料番号： W1332A ISSN： 1530-6984 CODEN： NALEFD 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

SOI基板トップのシリコン(Si)膜を湿式酸化と酸化層除去により種々の膜厚に制御してBOX層からはずし,得られたSiナノ膜の光電流分光を行った。算出した実効吸収曲線の吸収端からバンドギャップを見積もり,膜厚9nmではバルクSiと同じ~1eV,そして膜厚3.4及び1.4nmではそれぞれ1.6及び1.83eVであり,膜厚低下とともにバンドギャップが広がるのを見出し,これを一次元の量子閉じ込めに帰した。さらに,PETフィルム基板にチャネルとなるSiナノ膜を移動し,その上にゲート誘電体となるオクタデシルトリクロロシランのSAM膜を形成し,この上に電極となるグラフェン膜を移動し,電極のパターニングを行って,薄膜トランジスタ(TFT)を作製した。このTFTの特性が機械的な曲げと伸長の影響を僅かにしか受けないことを示した。種々のTFTとの比較を行い,Siナノ膜TFTが柔軟性,動作電圧及び電子移動度の点で卓越していることを示した。

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トランジスタ , 半導体薄膜

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