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J-GLOBAL ID：201302207795551130   整理番号：13A0666129

ダブルヘテロトンネル接合量子ドット半導体レーザにおける帯電及び再結合の確率解析

Stochastic Analysis of Charging and Recombination in Double-Hetero Tunnel-Junction Quantum Dot Semiconductor Laser

著者 (1件)： FUJIHASHI Chugo (Tokyo Polytechnic Univ.)
資料名： 東京工芸大学工学部紀要(Web)  (東京工芸大学工学部紀要 人文・社会編(Web))
巻： 35  号： 1  ページ： 71-78 (WEB ONLY)  発行年： 2012年 
JST資料番号： U0199A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ダブルヘテロトンネル接合量子ドット半導体レーザのモデルを示し,活性領域の孤立した量子ドットへのトンネリングによる帯電過程を確率論的に解析した。低いバンドギャップの量子ドットを含むダブルヘテロ接合は,電子及び正孔のP型及びN型のドットへのトンネリング遷移を妨げドット内の再結合を促す,その一方,高いバンドギャップの量子ドットは電子又は正孔電流を選べるトランジスタとして使用する。レーザ出力に含まれる光子は量子ドット内の電子と正孔の再結合により生産される。出力は多数の光量子を含むが,電子及び正孔のそれぞれの帯電は離散的な過程であり,再結合は確率論的に起こる。レーザ出力の解析は確率過程解析に基づいている。帯電数の確率に対する解析解を与え,出力特性の数値計算を示した。

シソーラス用語： *DHレーザ ,  *トンネル接合 ,  *量子ドット ,  *半導体レーザ ,  帯電 ,  再結合 ,  バンドギャップ ,  P型半導体 ,  N型半導体 ,  電流 ,  Coulombブロッケード ,  レーザ出力 ,  閾値 ,  確率過程 ,  解析的解法 ,  数値計算
準シソーラス用語： *ダブルヘテロ構造レーザ ,  トンネリング電流 ,  解析解 ,  確率解析

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 量子ドット ,  半導体レーザ ,  帯電 ,  再結合 ,  確率解析