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J-GLOBAL ID：201302208077236400   整理番号：13A0012391

SiCデバイスを適用した柱上設置STATCOMの回路方式比較

Performance Comparison of Circuits for Pole-mounted STATCOM using SiC Devices

著者 (7件)： 菊間俊明 (財団法人 電力中央研究所) ,  石川忠夫 (財団法人 電力中央研究所) ,  高崎昌洋 (財団法人 電力中央研究所) ,  餅川宏 ((株)東芝) ,  葛巻淳彦 ((株)東芝) ,  小谷和也 ((株)東芝) ,  村尾武 ((株)東芝)
資料名： 電気学会論文誌 D  (IEEJ Transactions on Industry Applications)
巻： 132  号： 9  ページ： 865-874 (J-STAGE)  発行年： 2012年 
JST資料番号： X0451A  ISSN： 0913-6339  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 分散型電源の配電系統への影響を低減し,柱上設置を可能とするトランスレスSTATCOMの開発に当たり4種類の回路方式を検討し,部品の総体積を除き回路方式間で大差がないことを示した。柱上設置STATCOMの適用条件を最少のデバイス数で実現できるY結線MMC,ハイブリッドMMC1,ハイブリッドMMC2およびFCMLIの4回路方式について比較検討の手順を示し,交流フィルタのパラメータおよび直流コンデンサ値を導出した。各回路パラメータを基に,各回路方式で100kVAクラスのSTATCOMを製作した場合の効率および部品体積を算出し,総体積はハイブリッドMMC2が最も小さく,損失は各回路方式で大きな違いは見られないことを示した。

シソーラス用語： *SVC【補償】 ,  電圧制御 ,  電力補償 ,  無効電力 ,  分散型電源 ,  配電系統 ,  回路定数 ,  回路設計 ,  系統運用 ,  系統連系
準シソーラス用語： *STATCOM【補償】 ,  回路パラメータ

分類 (1件)： 屋内配電・電源設備  (NB05050C)

引用文献 (18件)：

• (1) P. S. Sensarma, K. R. Padiyar, and V. Ramanarayanan: “Analysis and performance evaluation of a distribution STATCOM for compensating voltage fluctuations”, IEEE Trans. Power Delivery, Vol. 16, No. 2, pp. 259-264 (2001)
• (2) 荻原 誠・赤木泰文:「モジュラー・マルチレベル変換器の分類と比較」, 平成20年電気学会産業応用部門大会 (2008)
• (3) P. Panagis, F. Stergiopoulos, P. Marabeas, and S. Manias: “Comparison of state of the art multilevel inverters”, IEEE Power Electronics Specialists Conference, 2008 (2008)
• (4) C. K. Lee, S. K. Leung, S. Y. Ron Hui, and H. Shu-Hung: “Circuit-Level Comparison of STATCOM Technologies”, IEEE Trans. PE, Vol. 18, No. 4, pp. 1084-1092 (2003)
• (5) L. Cheng, S.-H. Ryu, C. Jonas, S. Dhar, R. Callanan, J. Richmond, A. K. Agarwal, and J. Palmour: “3300V, 30A 4H-DiC Power DMOSFETs”, ISDRS (2009)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiC ,  柱 ,  STATCOM