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J-GLOBAL ID：201302208098085780   整理番号：13A1629958

X帯での新しいGaN HEMT主導高電力ハイパス/ローパス移相器

A New Type of GaN HEMT Based High Power High-Pass/Low-Pass Phase Shifter at X Band

著者 (4件)： HETTAK K. (Communications Res. Centre Canada, Ontario, CAN) ,  ROSS T. (Carleton Univ., Ottawa, CAN) ,  GRATTON D. (Canadian Space Agency (CSA), Quebec, CAN) ,  WIGHT J. (Carleton Univ., Ottawa, CAN)
資料名： IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest  (IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest)
巻： 2012 Vol.2  ページ： 1681-1683  発行年： 2012年 
JST資料番号： A0636A  ISSN： 0149-645X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： X帯で動作する新しい種類のロバストGaN HEMT主導高電力移相器を提案した。すなわち,X帯高電力1ビットGaN MMIC移相器の設計,製作および性能について述べた。ハイパス/ローパストポロジーにより新しい種類の能動移相器は二つの単極/二重スロー(SPDT)スイッチ,ローパスネットワーク,ハイパスネットワークで構成される。この移相器は低挿入損(2.5dB),優れた反射減衰量,および8~12GHzの範囲の全動作帯域幅にわたって二つの位相状態の0.5dB未満の振幅変動を示した。相対的な位相性能は帯域幅にわたって全く一定である。

シソーラス用語： *移相器 ,  電力 ,  HEMT ,  スイッチ ,  周波数帯 ,  SHF【周波数】
準シソーラス用語： 高電力 ,  GaN HEMT ,  SPDTスイッチ ,  X帯

分類 (1件)： その他の伝送回路素子  (NC04070U)

タイトルに関連する用語 (6件)： X帯 ,  GaN ,  HEMT ,  高電力 ,  パス ,  移相器