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J-GLOBAL ID：201302208212617088   整理番号：13A0649075

アモルファス水素化シリコンの電子過程の新しい展開

New Development of Electronic Processes in Hydrogenated Amorphous Silicon

著者 (1件)： 村山和郎 (日本大 文理)
資料名： 日本大学文理学部自然科学研究所研究紀要  (Proceedings of the Institute of Natural Sciences, Nihon University)
号： 48  ページ： 209-229  発行年： 2013年03月18日 
JST資料番号： S0033A  ISSN： 0369-3562  CODEN： NDBSAL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： アモルファス水素化シリコン(a-Si:H)の光導電性と発光過程の電子過程について報告した。a-Si:Hのナノ薄膜において,光透過法と発光の励起スペクトルから求めた基礎吸収端スペクトルから,a-Si:Hにおける移動度ギャップの観測に初めて成功した。このギャップは2.1eVであった。結晶半導体の発光のピークエネルギーの励起エネルギー依存性を参考に求められたa-Si:Hのバンドギャップ(筆者らにより発光ギャップと命名)は,低温での1.7eVから200Kにおける1.4eVまで,温度の上昇とともに減少した。この減少は,再結合発光が起こるまでにバンドテイル局在状態を電子と正孔がホッピング緩和するとして理解される。70K以上の温度領域では,電子正孔対の電子がバンドテイル局在状態をホッピングし,正孔と再結合発光することが,発光減衰の研究で明らかにされた。低温で観測された発光減衰曲線は,ボーラスシリコンのシリコンナノ微粒子からの発光減衰と一致し,このことは,a-Si:Hの発光中心が水素を含まないシリコンナノ構造であることを示唆している。a-Si:HのTime Of Flight(TOF)は,深いバンドテイル局在状態にトラップした電子がホッピング端まで熱励起された後,そこをホッピングで移動するとして理解される。

シソーラス用語： 非晶質半導体 ,  *アモルファスシリコン ,  *光伝導 ,  *光ルミネセンス ,  励起スペクトル ,  光透過 ,  *バンドギャップ ,  キャリア再結合 ,  温度依存性 ,  光吸収スペクトル ,  キャリア移動度 ,  *発光中心 ,  ナノ構造 ,  ホッピング伝導 ,  局在状態 ,  減衰 ,  水素化物
準シソーラス用語： バンドテイル局在状態 ,  移動度ギヤップ ,  *水素化アモルファスシリコン ,  発光減衰

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： アモルファス水素化シリコン ,  電子 ,  過程 ,  展開