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J-GLOBAL ID：201302208971471063   整理番号：13A0833976

GaAsに基づくフォトニック結晶レーザを作製するための分子ビームエピタクシーによる空気穴保持成長

Air-Hole Retained Growth by Molecular Beam Epitaxy for Fabricating GaAs-Based Photonic-Crystal Lasers

著者 (5件)： NISHIMOTO Masaya (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  ISHIZAKI Kenji (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MAEKAWA Kyohei (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KITAMURA Kyoko (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NODA Susumu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 6  号： 4  ページ： 042002.1-042002.4  発行年： 2013年04月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子ビームエピタクシーを用いて半導体結晶中に空気/半導体二次元フォトニック結晶構造を埋込む方法を報告する。フォトニック結晶パターンを持つGaAs基板上にAlGaAs層を成長させるだけで,保持された空気穴からなる空気/GaAsフォトニック結晶を形成できることを示した。また,分子ビーム照射とGaAsの結晶方位の相対方向を調節して種々の空気/GaAsフォトニック結晶構造が得られる。最後に,空気穴維持成長後にも十分な厚みのAlGaAs層が成長すると,平方自乗平均値が1nm以下の平坦な表面が得られる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *面発光レーザ ,  *MBE成長 ,  半導体 ,  結晶 ,  フォトニックバンドギャップ ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  半導体材料 ,  *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  結晶方位 ,  半導体薄膜 ,  フォトニック結晶
準シソーラス用語： *フォトニック結晶レーザ

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (21件)：

• IMADA, M. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 316
• MEIER, M. Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 7
• NODA, S. Science. 2001, 293, 1123
• IMADA, M. Phys. Rev. B. 2002, 65, 195306
• VURGAFTMAN, I. IEEE J. Quantum Election. 2003, 39, 689

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  フォトニック結晶レーザ ,  作製 ,  分子ビームエピタクシー ,  空気穴 ,  成長