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J-GLOBAL ID：201302209212113078   整理番号：13A0673041

シリコンゲルマニウム薄膜の固相エピタキシャル成長の分子動力学シミュレーション

MOLECULAR DYNAMICS SIMULATION OF THE SOLID-PHASE EPITAXIAL GROWTH OF SILICON GERMANIUM THIN FILM

著者 (3件)： YOSHIMARU Y. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  MATSUMOTO Y. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  YAMAMOTO Y. (Hosei Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement  (Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement)
号： 31  ページ： 47-50  発行年： 2013年03月 
JST資料番号： L0263A  ISSN： 0914-2908  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (001)結晶面上のSiGeの固相エピタキシャル成長を,Tersoffポテンシャルを使った分子動力学(MD)シミュレーションにより調べた。Ge濃度と成長温度がSiGe固相エピタキシャル(SPE)成長に及ぼす効果を検討した。Ge濃度上昇と共に結晶化速度は高くなるが,この効果は高い成長温度で小さくなることが分った。SiGeホモエピタクシーにおける単結晶/非晶質界面はSiとGeのホモエピタクシーの場合に比べて粗かった。SiとGeのSPEは変化しない界面形態が保たれて進行した。一方,SiGeのSPE成長は界面形態が大きく変化して進行した。高温におけるSiGe結晶層の界面は低温の場合よりも平坦であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 計算機シミュレーション ,  ゲルマニウム含有合金 ,  *ゲルマニウム合金 ,  *ケイ素合金 ,  ケイ素含有合金 ,  固溶体 ,  薄膜成長 ,  表面粗さ ,  非晶質半導体 ,  固相成長 ,  *エピタクシー ,  *分子動力学シミュレーション ,  界面粗さ ,  *固相エピタキシャル成長 ,  計算機利用 ,  利用

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコンゲルマニウム ,  薄膜 ,  固相エピタキシャル成長 ,  分子動力学シミュレーション