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J-GLOBAL ID：201302209272097888   整理番号：13A0533041

低オーム接点抵抗980nmのVCSELsの製作

Low Ohmic Contact Resistance 980 nm VCSELs Fabricated

著者 (5件)： 李再金 (長春理工大学 高功率半導体激光国家重点実験室, 長春) ,  QU Yi (長春理工大学 高功率半導体激光国家重点実験室, 長春) ,  Bo Bao-xue (長春理工大学 高功率半導体激光国家重点実験室, 長春) ,  LIU Guo-jun (長春理工大学 高功率半導体激光国家重点実験室, 長春) ,  WANG Li-jun (中国科学院長春光学精密机械与物理研究所激発態実験室 高功率半導体激光国家重点実験室, 長春)
資料名： Guangzi Xuebao  (Guangzi Xuebao)
巻： 41  号： 2  ページ： 249-252  発行年： 2012年 
JST資料番号： W1500A  ISSN： 1004-4213  CODEN： GUXUED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 980nmの垂直共振器形面発光レーザ(VCSEL)オーム接点技術を研究した。VCSELの出力パワーを増強して,信頼性を拡張するためには,接触抵抗を減らされなければならない。P型高ドープGaAsについて,金属接触系としてTi/Pt/Au合金を選び,N型GaAsについて,金属接触系としてGe/Au/Ni/Au合金を選んだ。440°Cの最適の合金化温度を選択することよって,0.04Ωの最低のオーム接点抵抗を得た。440°Cのデバイスおよび450°Cのデバイスの出力および変換効率を比較して,試験結果は以下を示した。オーム接点抵抗は0.04Ωであり,ピーク波長は980.1nmであり,スペクトルのFWHMは0.8nmであり,側方発散角θ⊥は最低で15.2°であり,垂直発散角θ⊥は最低で13.5°であり,出力は1.4Wであり,最大変換効率は440°Cのデバイスについては14.4%であり,オーム接点抵抗が0.049Ωであり,出力は1.3Wであり,450°Cのデバイスについて変換効率は12.8%であった。合金温度を最適化することよって,VCSEL980nmのオーム接点抵抗を効果的に減少することができた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *垂直共振器形面発光レーザ ,  スペクトル ,  接触抵抗 ,  金合金 ,  効率 ,  FWHM ,  ヒ化ガリウム
準シソーラス用語： *VCSEL ,  Au合金 ,  変換効率 ,  GaAs

分類 (1件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (2件)： オーム ,  製作